AR1FK-M3/I
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Deutsch
Artikelnummer: | AR1FK-M3/I |
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Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
Teil der Beschreibung.: | DIODE AVALANCHE 800V 1A DO219AB |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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20000+ | $0.0889 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.6 V @ 1 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 800 V |
Technologie | Avalanche |
Supplier Device-Gehäuse | DO-219AB (SMF) |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 120 ns |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Verpackung / Gehäuse | DO-219AB |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 175°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 1 µA @ 800 V |
Strom - Richt (Io) | 1A |
Kapazität @ Vr, F | 9.3pF @ 4V, 1MHz |
DIODE AVALANCHE 800V 1A DO219AB
POT 1K OHM 5W WIREWOUND LINEAR
DIODE AVALANCHE 600V 1A DO219AB
DIODE AVALANCHE 1KV 1A DO219AB
DIODE AVALANCHE 400V 1A DO219AB
DIODE AVALANCHE 1KV 1A DO219AB
DIODE AVALANCHE 800V 1A DO219AB
DIODE AVALANCHE 600V 1A DO219AB
DIODE AVALANCHE 1KV 1A DO219AB
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
DIODE AVALANCHE 1KV 1A DO219AB
DIODE AVALANCHE 600V 1A DO219AB
DIODE AVALANCHE 600V 1A DO219AB
DIODE AVALANCHE 400V 1A DO219AB
DIODE AVALANCHE 800V 1A DO219AB
DIODE AVALANCHE 400V 1A DO219AB
DIODE AVALANCHE 400V 1A DO219AB
PNP EPITAXIAL TRANSISTOR
DIODE AVALANCHE 200V 1A DO219AB
CABLE END MKRS COMPLETE KIT OF N
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() AR1FK-M3/IVishay General Semiconductor - Diodes Division |
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Zielpreis (USD)
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